半导体一般是使用热扩散的方法将III族或VI族元素掺入本征半导体或者以掺杂的半导体中，这说的是同质结。如果是异质结一般是使用磷烷和分别和硅烷混合后，气相沉积在以掺杂的半导体衬底上。生产异质结还有一些别的外延生长的方法。
第一种：先积淀在半导体上，再通过热扩散第二种：离子注入，通过电场，给离子加速，注入半导体中。第三种：LPCVD，自己百度还有其他方法，只是我不知道
半导体一般是使用热扩散的方法将III族或VI族元素掺入本征半导体或者以掺杂的半导体中，这说的是同质结。
如果是异质结一般是使用磷烷和分别和硅烷混合后，气相沉积在以掺杂的半导体衬底上。生产异质结还有一些别的外延生长的方法。
第一种：先积淀在半导体上，再通过热扩散
第二种：离子注入，通过电场，给离子加速，注入半导体中。
第三种：LPCVD，自己百度
还有其他方法，只是我不知道