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埋栅型硅基薄膜材料太阳电池的制备

更新时间:2016-07-05

由于非晶硅薄膜太阳电池具有成本较低、温度特性较好等特点,是近些年来应用较广泛的低成本硅基太阳电池之一,但是该电池也存在转化效率较低的问题,是制约其发展的主要因素之一[1]。相关研究表明,可通过改变电池的结构来提高非晶硅薄膜太阳电池的转化效率,进而提高其市场竞争力[2]。本文设计了一种新型的具有环形闭合PN结的埋栅 (CJBE)非晶硅薄膜太阳电池,利用multisim软件研究结果,提高薄膜电池的受光面积、电极与硅薄膜的接触面积来提高电池的转换效率。

1 实验

图1所示为CJBE薄膜电池的结构示意图,其中环形PN结由P型非晶硅薄膜包覆N型非晶硅薄膜形成,电池电极的埋栅结构由位于N型薄膜中的电极构成。由于CJBE薄膜电池为单结电池,无需对其厚度及材料进行匹配[3]。由于CJBE电池中与底电极平行的两个面均可吸收太阳光,可大大提高电池对光的吸收能力。CJBE电池中电极位于N型区中,与上下两个本征区之间的距离相等,这样可缩短载流子与电极之间的运动距离,可使电池对长波的吸收效率提高。

图1 CJBE薄膜电池的结构示意图

图2所示为CJBE电池的制造工艺流程,首先通过磁控溅射的方法在玻璃衬底上淀积透明导电层TCO,同时在TCO上淀积P型非晶硅薄膜,然后通过导电玻璃在P型非晶硅薄膜上淀积本征和N型非晶硅薄膜,采用磁控溅射的方法在N型非晶硅薄膜上淀积中间电极TOC透明导电薄膜,其中磁控溅射时掩模的窗口尺寸决定着TOC中间电极的尺寸。最后通过激光开通孔后,依次淀积P型非晶硅和金属背电极,即可形成本文CJBE的电池结构。

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图2 CJBE电池的制造工艺流程

2 结果与分析

图3所示为CJBE电池与单结非晶硅电池的I-V特性,观察图3可发现,二者相比CJBE电池的特性较好。与单结电池相比,CJBE电池的电流强度及填充因子FE均较高,但开路电压略低。这主要由于CJBE电池的环形PN结中一个面与电池表面更接近,一个面与底电极更接近,这可增加电池对长波及短波的吸收效率,进而提高电池的光生电流强度[4]。与单结薄膜电池相比,CJBE电池的光生电流强度约提高了45%。

图3 CJBE电池与单结非晶硅电池的I-V特性

图6所示为电池N型区杂质浓度变化时电池的光谱响应,观察图6可发现,电池的光谱响应强度随电池中N型非晶硅薄膜的杂质浓度先增强后减弱。这主要是由于当N型非晶硅中的杂质浓度过低时,电池的串联电阻较大,此时电池的光谱响应强度较弱;当N型非晶硅中的杂质浓度过高时,载流子的复合率升高,此时电池的光谱响应强度减弱[5]

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图4 当通孔面积与电池面积之比变化时,CJBE电池的光谱响应

图5所示为电池的厚度变化时,CJBE电池的光谱响应,观察图5可发现,电池的长波响应随其厚度的增加而增强,这主要是由于在薄膜中长波的吸收深度较深。当本征层过厚时,会使得向电极运动中的光生载流子被复合,使得短波电流的强度降低。综合比较发现,当电池的厚度为2.72 μm时,电池的光谱响应强度最大。

图5 电池的厚度变化时,CJBE电池的光谱响应

图4所示为当通孔面积与电池面积之比变化时,CJBE电池的光谱响应,观察图4可发现,电池的光谱响应强度随通孔面积的增大而减弱。这主要由于当通孔尺寸变大时,电池PN结的受光面积下降,使得电池的光谱响应强度减弱。当通孔面积与电池面积之比为0.15及0.25时,电池的光谱响应强度相近,这主要是由于当通孔尺寸过小时,电池的电流虽然会随其受光面积的增大而增大,但是与电池串联的电阻也会随之增大,使得电池的电流减小,所以使得两种条件下电池的光谱响应相近。当通孔尺寸较小时不利于制备电极时金属的填充,所以在生产实际中,电池的通孔面积占总面积的25%较好。

图6 电池N型区杂质浓度变化时电池的光谱响应

图7所示为电池P型区杂质浓度变化时电池的光谱响应,观察图7可发现,电池的光谱响应强度随电池中P型区的杂质浓度减弱,其中短波的相应强度减弱得较明显。这主要是由于当P型区中的杂质浓度上升时,会出现重掺杂效应,使得P型区载流子的复合率上升,使得电池的光谱响应强度变弱,所以当P型区的杂质浓度上升时,电池的短波强度变弱。当P型非晶硅薄膜的杂质浓度为1×1019cm-3时,由于非晶硅的杂质浓度过高会出现死层,使得电池的短波响应被复合,长波响应也随之减弱。通过上文实验结果可发现,CJBE电池的N型非晶薄膜的杂质浓度在5×1016~1×1017cm-3之间时,电池的光谱响应较高,当P型非晶硅薄膜的掺杂浓度较低时,电池的输出电流较大。

图7 电池P型区杂质浓度变化时电池的光谱响应

3 结论

本文主要设计了一种新型的具有闭合环形PN结埋栅非晶硅薄膜太阳电池,通过对实验所得电池进行光谱响应分析可发现,与单结薄膜电池相比,CJBE电池的光生电流强度约提高了45%;电池的结构参数对CJBE电池的性能影响显著,电池的光谱响应强度随通孔面积的增大而减弱,电池的长波响应随其厚度的增加而增强;电池的光谱响应强度随电池中N型非晶硅薄膜的杂质浓度先增强后减弱,随电池中P型区的杂质浓度减弱,其中短波的相应强度减弱得较明显。CJBE太阳电池可使其光谱响应强度明显提高,具有较好的市场前景。

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参考文献:

[1]鲁源坤,张敏刚.硅基薄膜太阳能电池及硅锗薄膜在其中的应用[J].山西冶金,2010(2):8-10,76.

[2]刘春娜.薄膜太阳电池技术进展及市场前景[J].电源技术,2012(12):1778-1779.

[3]季鑫,杨德仁,答建成.硅基单结太阳能电池的制备技术、缺陷及其性能的研究[J].材料导报,2016(3):15-18,28.

[4]王强,顾江,徐影,等.硅基环形PN结埋栅薄膜太阳电池的设计与研究[J].太阳能学报,2016(1):1-4.

[5]冯金晖,杜光远,王赫,等.蒸发法制备CIGS薄膜太阳电池的研究进展[J].电源技术,2014(4):788-792.

徐鹏飞,余艳伟
《电源技术》 2018年第05期
《电源技术》2018年第05期文献

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