近年来，我国高速铁路、风电项目等建设取得了举世瞩目的成绩，是我国展示科技创新实力的重要名片，且在全球范围内创造了巨大的经济价值和环保效益。这些项目的实现均得益于新型绝缘材料和绝缘体系的发展。以高铁为例，其绝缘系统长期处于高频陡脉冲环境中[1-2]，主绝缘和电机端部短时的过电压，过冲温度往往使传统绝缘材料提前发生老化。目前国际上通用的办法是采用Kapton100CR薄膜解决类似问题。研究发现，若想进一步提高电机的运行效率及可靠性，则必须进一步研发可替代Kapton100CR的新型纳米复合聚酰亚胺(PI)绝缘材料，形成新型绝缘体系。

研究者将不同种类的纳米粒子掺杂到PI薄膜中，以期从不同层面提高PI薄膜的介电性能。如制备了纳米SiO2/PI[3]、Al2O3/PI[4-5]、TiO2/PI[6]、SiC/PI[7]和BaTiO3/PI[8]等高性能复合材料。实际上，杜邦公司首先用纳米Al2O3改性PI制备了三层复合结构的Kapton100CR薄膜，该薄膜具有较高的耐电晕寿命。这表明纳米掺杂、复合结构及层间界面均对薄膜的电性能有重要的影响。国内外学者[9-11]也在三层结构方面做了大量的研究。本文以纯PI薄膜为基体，经过两次浸胶制备整体掺杂量不变的五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜。电晕对材料的侵蚀是由表面向内部发展的过程，根据这一特点，对耐电晕薄膜的复合结构进行设计，使五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜性能得到优化，并研究五层结构对材料性能的影响。

1 实验材料及方法

1.1 原材料

异丙醇(AIP)，化学纯，中国医药集团上海化学试剂公司；甲基三乙氧基硅烷(MTES)，化学纯，上海硅山高分子材料有限公司；甲苯(MB)，化学纯，长春化学试剂厂；均苯四甲酸二酐(PMDA)，工业纯，上海化学试剂公司；4，4’-二胺基二苯醚(ODA)，工业纯，上海化学试剂公司；N，N’—二甲基乙酰胺(DMAc)，工业纯，上海试剂二厂；PI薄膜(13 μm)，溧阳华晶电子材料有限公司。

1.2 纳米SiO2-Al2O3分散液的制备

在常温下将AIP、MTES与MB充分混合，MTES与AIP摩尔比为9∶1，直至形成质量分数为15wt%的MTES-AIP均匀溶液。按照摩尔比MTES-AIP∶水=1∶1.2向溶液中缓慢滴加去离子水，然后将其转移到高压反应釜中，控制压力小于10 MPa，在220℃下反应72 h，自然降温，补加DMAc使其固体含量质量分数为15wt%，得到纳米SiO2-Al2O3氧化物分散液，纳米粒子平均粒径为15 nm。

1.3 五层纳米复合薄膜的制备

称取12.13 g(纳米掺杂质量分数为16wt%)纳米SiO2-Al2O3分散液，并称取204.80 g DMAc，于10℃下搅拌30 min至完全溶解；向三口瓶中加5.00 g ODA搅拌至完全溶解，将5.45 g PMDA分6次，以逐次减半的方式加入到上述分散液中，每次间隔20 min。反应初期为无色半透明液体，随PMDA的加入，逐渐变为淡黄色透明液体；随反应的进行体系黏度急剧增大。按照纳米SiO2-Al2O3掺杂质量分数分别为20wt%、24wt%、28wt%和32wt%计算，改变纳米SiO2-Al2O3分散液的加入量，重复上述实验，制得纳米SiO2-Al2O3掺杂量不同的聚酰胺酸(PAA)复合胶液。反应结束6 h后，采用孔径为25 μm不锈钢网过滤杂质，静止12 h脱出气泡，待用。

耐电晕测试：耐电晕测试仪自制，由交流调压器、升压器、保护电阻、导电纸、计时器和实验电极六部分组成，计时器并联在保护电阻上。测试前将薄膜放在上下电极之间，调节调压器使薄膜两端电压为2 000 V，开启计时器。当薄膜击穿时，电路中瞬间产生一个电压脉冲，计时器停止计时(此时显示的时间即为薄膜的耐电晕寿命)，同时，过大的电流会导致导电纸烧断，电路处于断路状态。上电极为直径6 mm的棒电极，电极边缘倒角半径为1 mm，下电极为直径50 mm平板电极。测试温度为155℃，每组试样测量10次，取平均值。

图1所示中间层为纯PI薄膜(P)，其厚度为13 μm，次外层(An)设计厚度为3 μm，外层(Am)设计厚度为3 μm。复合薄膜总厚度为25 μm。

表1 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm及其复合层的纳米SiO2-Al2O3掺杂质量分数 Table 1 Five layer nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm and the nano SiO2-Al2O3 doped mass fraction of composite layer

SampleMass fraction/wt%Outer doping Secondary dopingA16A32PA32A161632A20A28PA28A202028A24A24PA24A242424A28A20PA20A282820A32A16PA16A323216

图1 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm结构示意图 Fig.1 Schematic diagram of five layer nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

1.4 结构表征及性能测试

图5为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm电导-电流特性曲线，可以表征复合材料的电导及空间电荷特性。可以发现，五种复合薄膜的电导-电流曲线由两个区域组成，即折点前的欧姆电导区和折点后的空间电荷限制电流区，这与文献[12-15]所述一致。由欧姆电导区可以计算五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的体积电阻率，如表2所示。可以发现，A24A24PA24A24试样的电阻率最小，且随着外层与次外层SiO2-Al2O3掺杂量差异的增大，五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合材料的体积电阻率变大。这主要是由于外层与次外层的掺杂量差异的增大使外层与次外层电导差异增大，而电导率减小的掺杂层将使复合材料的电导减小。此外，由于层间电导差异，空间电荷会在层间界面积累，形成一个“障碍层”[16]，进而影响载流子迁移，因此，随着外层与次外层SiO2-Al2O3掺杂量差异的增大，五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合材料的体积电阻率变大。另外试样A16A32PA32A16和A20A28PA28A20的电阻率大于A28A20PA20A28和A32A16PA16A32，这表明外层薄膜掺杂量对电导的影响大于次外层。这可以解释为空间电荷由外层的表面注入，因此外层的掺杂结构对五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的电导特性具有较大的影响。

耐电晕特性很大程度上取决于材料的表面特性，图7为A28A20PA20A28试样电晕击穿点及其电晕表面的SEM图像。图7(a)为A28A20PA20A28试样击穿点形貌图像。可以发现，试样为多层结构，中间层被带电粒子破坏成为较大片状结构，外层与次外层在纳米粒子的保护下，形成的片状结构较小。图7(b)为击穿点附近被电晕侵蚀的薄膜表面形貌图像。 可以发现，有机物基体被侵蚀，而无机物纳米粒子紧密的沉积在薄膜表面形成无机物保护层，对聚合物基体起到了良好的保护作用。

取原位生物反应池进出水样进行分析，结果如图1～2所示。可以看出，原位处理池对于渗沥液氨氮的去除效果很好，最高能达到95%以上，总氮去除率大体上也在50%以上，COD去除效果在30%以上。但原位池内7月下旬和8月初COD有所增加且氨氮和总氮去除效果不够理想，结合上海7、8月的天气变化，推测为外界环境的影响，可能原因是气温骤降造成微生物的活性降低，呼吸作用和硝化作用效率减慢，导致去除效果下降。8月气温回暖后到中旬恢复较高的处理能力。

介电常数与介电损耗测试：将试样两面均匀镀上铝电极，采用德国Novel Control 宽频介电谱测试仪，测量复合薄膜的介电常数与介电损耗，测试频率范围为101～106 Hz。

电导电流测试：将试样双面蒸镀电极，测试前在150℃下短路处理24 h。实验采用直流电压，逐级升压的方式，从250 V逐级升压到2 000 V，升压间隔250 V，流过薄膜的微弱电流采用北京华晶汇公司的EST122静电计记录，每级电压施加1 h后记录一个实验电流值。实验电极及试样均置于屏蔽系统中，电流信号经同轴电缆引至静电计。测试温度为30℃。

将购置的纯PI薄膜浸入所设计的纳米SiO2-Al2O3复合PAA胶液中，待其浸润完成后，取出置于80℃鼓风烘箱中20 min，然后以5℃/min升温至300℃，降温取出；将复合薄膜再次浸入所设计的纳米复合PAA中，浸润完毕后，取出置于80℃鼓风烘箱中20 min，然后以5℃/min升温至350℃，降温取出即制得五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜(结构示意图如图1所示)。将掺杂质量分数分别为16wt%、20wt%、24wt%、28wt%和32wt%的纳米SiO2-Al2O3/PI掺杂层分别记为A16、A20、A24、A28和A32，所制备的五种不同结构的五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜如表1所示。

介电强度测试：采用南京长盛仪器有限公司CS2674C 型耐压测试仪测试薄膜击穿场强，介质为硅油，设定泄露电流为1.29 mA，测试电压波形为正弦波，按快速升压方式在20 s内匀速升压至薄膜击穿，记下击穿电压值。每个试样分别选择十个点进行测试，取平均值为击穿场强。

力学性能测试：试样大小为120 mm×10 mm(标距为100 mm×10 mm)，采用日本岛津AGS-J10KN型电子万能材料试验机测试薄膜的力学性能，拉伸速度为50 mm/min，拉伸时出现层间剥离或断裂均认为实验结束。每组次数至少5次，取平均值。

如汪以俊的作品《六合同春》中，便是将画面中的主次通过合理安排，放置，让画面更有主次感，在对牡丹，丹顶鹤的数量安排上，也是采取最恰当的安排，疏密簇叠，丹顶鹤错落有致。画面虚实结合，将所绘制之景栩栩如生地展现在我们眼前。

2 结果与讨论

2.1 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜A20A28PA28A20的截面形貌

图2为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜 A20A28PA28A20 的截面TEM图像。由图2(a)可以发现，所制备的纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜为多层结构，中间层与掺杂层的界限清晰，由标尺可估算五层薄膜的厚度，按照图中标识线所示位置测量中间层厚度为13 μm，外层与次外层厚度均为3 μm，与设计相符。由图2(a)中Ⅰ位置的放大图2(b)可见，虚线为外层与次外层的界面，可以发现外层与次外层掺杂量差异明显，次外层中纳米粒子呈连续分布，而外层中纳米粒子呈“云朵”状分布，且“云朵”间存在相对较大的基体相。图中可以看到复合材料的层间界面并不十分清晰，存在相互渗透现象。由图2(a)中Ⅱ位置的放大图2(c)可见，纳米SiO2-Al2O3均匀的分布在PI基体中，没有明显的团聚，这表明纳米粒子与基体相容性良好，图中纳米粒子大小均匀，且粒径小于30 nm。

图2 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜A20A28PA28A20截面的TEM图像 Fig.2 Cross sectional TEM images of five layer nano SiO2-Al2O3/PI composite film A20A28PA28A20

2.2 五层纳米SiO2-Al2O3/PI的微观结构

图3为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的FTIR图谱。可以看到，五种复合薄膜的PI特征峰明显，如1 776 cm-1处亚胺的CO 不对称伸缩振动峰、1 725 cm-1处亚胺的CO 对称伸缩振动峰、1 371 cm-1处C—N伸缩振动峰及721 cm-1处CO碳氧弯曲振动峰均清晰可见，这说明纳米相的掺杂并未影响PAA的闭环反应，SiO2-Al2O3/PI复合薄膜亚胺化反应比较完全。

1)太阳光源属于平行光光源，在 ArcGIS三维空间分析工具中，山体阴影工具，模拟的是太阳平行线光源。符合日照分析要求。因此，采用山体阴影工具(Hillshade)进行日照分析。

图3 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的FTIR图谱 Fig.3 FTIR spectra of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

图10为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的拉伸强度及断裂伸长率。可以发现，实验所制备的五层复合薄膜均有良好的力学性能(断裂伸长率>40%，拉伸强度>140 MPa)，这是由于本实验所采用的中间层是已亚胺化的纯PI薄膜，具有优良的力学性能，因此在复合后，中间层对复合层起到了良好的补强作用。对比图中数据发现，相对于外层与次外层掺杂量不变的A24A24PA24A24试样而言，A16A32PA32A16和A32A16PA16A32试样力学性能有所降低，这是由于外层或次外层掺杂量过大导致缺陷概率增大引起的；而A20A28PA28A20和A28A20PA20A28的拉伸强度和断裂伸长率均有所提高，其中A20A28PA28A20试样的拉伸强度和断裂伸长率最大，分别为167 MPa和52%，这表明通过降低外层或次外层的掺杂量，即可一定限度的增加材料的力学性能。

2.3 五层纳米SiO2-Al2O3/PI介电常数与介电损耗

图4 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的介电常数和介电损耗频率谱图 Fig.4 Dielectric constant and dielectric loss frequency spectrum of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

复合薄膜耐电晕寿命的增加可以从以下三个方面进行解释：(1)纳米粒子的保护作用。主要存在两个方面的机制，一方面无机纳米粒子被电晕侵蚀后沉积在表面形成无机物屏蔽层，外层掺杂量越大，沉积的无机纳米粒子越多，对薄膜的保护作用也越强；另一方面五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜外层掺杂量的增加导致复合薄膜外层中载流子陷阱密度依次增大(见2.4节)，即形成的空间电荷电场增大，该空间电荷电场的排斥作用会更有效的削弱带电粒子对聚合物基体的电侵蚀作用，因而保护了PI基体; (2)层间空间电荷电场的阻隔作用。在电场作用下，由于五层复合薄膜各层的电导率差异，会在层间形成界面极化，载流子穿越层间界面时会受到空间电荷电场的排斥，如图8所示。因而使载流子能量降低，从而减弱其对聚合物基体的损伤; (3)场强分配作用。五层复合材料中由于各层纳米粒子掺杂量不同，造成介电常数差异，掺杂量越大介电常数越大。根据经典电介质物理理论，所分配场强随其介电常数增大而减小，因此，掺杂量最小的中间层场强最大，而掺杂量最大的层所分配场强最小，这也有效的降低了与电晕作用相关的载流子的能量。由于三者的共同作用，产生了图6中的实验结果。值得注意的是，A24A24PA24A24试样外层与次外层掺杂量相同，相当于三层试样，因此对比实验数据可知，纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素。

2.4 五层纳米SiO2-Al2O3/PI电导及空间电荷特性

图5 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的电导-电流特性 Fig.5 Conduction-current characteristics of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

微观形貌表征：采用德国Leica EMUC7型超薄切片机对包埋的A20A28PA28A20试样进行超薄切片，并且进行喷碳处理，采用日本电子公司JEM-2100型透射电子显微镜观察复合薄膜的截面形貌；将电晕后的A28A20PA20A28试样进行喷金处理，采用荷兰FEI公司Sirion200型电子扫描显微镜观察电晕后的表面形貌。

其中：σ为纵波引起的正应力；ρ为介质密度；VP，vP分别为纵波波速和纵波引起的质点震动速度；τ为横波引起的剪应力；VS，vS分别为横波波速和横波引起的质点震动速度。可见，远场动应力和震波波速成正相关关系。

表2 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的体积电阻率 Table 2 Volume resistivity of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

SampleVolume resistivity/(Ω·m)A16A32PA32A161.54×1015A20A28PA28A201.35×1015A24A24PA24A248.59×1014A28A20PA20A289.38×1014A32A16PA16A321.02×1015

图5中曲线折点a～e对应场强为该试样的电老化阈值(EΩ)，经推导可以得出材料中受陷载流子密度nt的表达式[15]：

(1)

式中：ε0为真空介电常数；εr为相对介电常数；EΩ为电老化阈值；d为试样厚度；e为单位电子电荷量。由图5中数据计算电老化阈值，并根据式(1)可求得受限载流子密度nt，如表3所示。可以发现，nt随着外层SiO2-Al2O3掺杂量的增加而增加。刘君等[17]通过电声法测量PI薄膜的空间电荷分布，结果表明空间电荷密度在材料的表面处较大。外层纳米粒子掺杂量越多，生成载流子陷阱结构密度越大，对电荷的俘获作用越强，次外层俘获载流子受外层电导率的影响，也与自身纳米掺杂结构有关，因此5个五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合材料试样的受限载流子密度呈现上述分布。Lewis[18-19]和陈昊等[20]认为材料的耐电晕特性与材料内受限的空间电荷电场对载流子的排斥作用有关，即俘获的载流子有利于提高材料的耐电晕寿命。

表3 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的电老化阈值与受限载流子密度 Table 3 Electrical aging threshold and trapped carrier density of five layer nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

SampleElectrical degradation threshold/kVTrapped carriers density/(1020 m-3)A16A32PA32A1640.603.36A20A28PA28A2050.124.14A24A24PA24A2453.954.46A28A20PA20A2855.324.58A32A16PA16A3261.085.05

2.5 五层纳米SiO2-Al2O3/PI耐电晕特性

图6 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的耐电晕寿命 Fig.6 Corona resistant life of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

图6为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的耐电晕寿命。可以看到，复合薄膜的耐电晕寿命随外层掺杂量的增加而增大。其中，A16A32PA32A16耐电晕时间最短，为16.4 h，A32A16PA16A32耐电晕寿命最长，达到23.4 h。

3. As to the dispositions of a qualified mathematics teacher in community college, what do you think are the core components? Please make a list and explain it briefly.

图7 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜A28A20PA20A28的电晕击穿点及电晕侵蚀后表面的SEM图像 Fig.7 SEM images of corona breakdown point and corona aged surface morphology of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film A28A20PA20A28

微观结构表征：用美国 Thermo Scientific Nicolet iS50 傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪的ATR附件对试样进行表征，扫面分辨率为4 cm-1，扫描64次取平均值。

图4为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的介电常数和介电损耗的频率谱图。从图4(a)中可以看出，在测量范围内(10～106 Hz)五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电常数随频率增加而略有减小，体现了试样的介电常数对频率依赖性较小；由图4(a)可以发现，A24A24PA24A24的介电系数最小且与A20A28PA28A20和A28A24PA24A28两试样的介电常数差异不大，而A16A32PA32A16和A32A16PA16A32的介电常数则略大于其它三个试样，这主要由于五层复合薄膜结构中，层间电导率差异会产生宏观界面极化，外层与次外层掺杂量差异越大，产生的界面极化越大。从图4(b)中可以发现，五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合材料试样A20A28PA28A20、A24A24PA24A24和A28A24PA24A28的介电损耗差异不大，而A16A32PA32A16和A32A16PA16A32的介电损耗则大于其它三个试样。其原因主要是由于A32层掺杂量较大，纳米填料在材料内部发生了团聚现象，产生大量缺陷结构，同时，掺杂量越大，纳米粒子表面的残余基团在材料中的密度越大，因此增大了复合材料的介电损耗。

图8 电荷在多层复合材料中运动的示意图 Fig.8 Schematic diagram of charge motion in multilayer composites

2.6 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的介电强度

图9 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的介电强度 Fig.9 Dielectric strength of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

图9为五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的介电强度。可以发现，A20A28PA28A20的介电强度最大(302.3 kV/mm)，A20A28PA28A20、A24A24PA24A24、A28A20PA20A28及A32A16PA16A32试样的介电强度依次降低，即试样的介电强度随外层掺杂质量分数的增加呈现减小的趋势(A16A32PA32A16除外)。这表明外层对五层AmAnPAnAm材料的介电强度影响较大。这是由于虽然纳米粒子掺杂量的增加可以有效的均化电场，但与此同时，纳米粒子掺杂量的增加也增大了材料的缺陷概率。当场强增大时，大量的带电粒子作用于材料缺陷处，破坏聚合物基体，使其断链形成导电通路，因此造成材料击穿。而A16A32PA32A16试样介电强度稍低于A20A28PA28A20试样，这是由于A16A32PA32A16试样中次外层掺杂量较大，导致缺陷概率增大，因此介电强度有所降低。这些结果表明，通过外层与次外层纳米复合结构的合理匹配，可以提高复合材料的击穿场强。

2.7 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的力学性能

图10 五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜AmAnPAnAm的拉伸强度和断裂伸长率 Fig.10 Tensile strength and elongation at break of five layer structure nano SiO2-Al2O3/PI composite film AmAnPAnAm

衰减全反射法(ATR)采样附件的测试深度为几百纳米到几微米，主要反映外层化学结构信息，随着外层掺杂量的增大，3 300～3 000 cm-1处O—H伸缩振动峰增加明显，这与纳米粒子表面的Si—OH及表面处理剂相关；而1 130～1 000 cm-1处Si—O结构多重叠峰的明显增强表明复合材料中硅氧化物的含量增加。

3 结 论

采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(PI)的五层耐电晕薄膜AmAnPAnAm，其中中间层(P)为纯聚酰亚胺(PI)薄膜，外层(Am)和次外层(An)分别为掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。

若事物有m个状态M1，M2，…，Mm，具有n个共同的指标C1，C2，…，Cn，事物Mj的指标Ci对应的量值是xij，则复合物元矩阵为

(1) 以多次浸胶的方式成功地制备了五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜，且复合薄膜的各层厚度与设计一致；所制备五层薄膜的纳米掺杂结构为有机/无机复合结构。

(2) 降低外层的SiO2-Al2O3掺杂量可以有效降低五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的电导。因为外层空间电荷陷阱结构密度越大，越有利于俘获注入的空间电荷，所以复合材料受陷载流子密度受外层纳米掺杂量的影响很大。

也就是从那次，我的书娟姨妈坚定了她的信念，无论赵玉墨变得如何不像赵玉墨，她一定会找到她和她十二个姐妹的下落。有些她是从日本记者的记载中找到的，有些是她跟日本老兵聊出来的，最大一部分，是她几十年在江苏、安徽、浙江一带的民间搜寻到的。

(3) SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用、层间空间电荷电场的阻隔作用和场强分配作用，共同决定了五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜结构与耐电晕性能的关系，SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素。五层复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大，为23.4 h。

商业银行从本质来看就是经营和管理风险的机构，其负债经营的特质决定了银行在业务经营中处处面临着风险，因此能否有效识别、管理和控制好风险对银行核心竞争力的提升有着重要的意义。而银行作为国民经济命脉和金融市场的主要参与者，其风险管理能力的水平对社会经济的稳定也有着重大的影响。近年来，随着我国金融改革工作的深入，维护金融市场稳定成为了我国金融工作的主基调，2017年全国金融工作会议提出“强化金融监管，坚守住不发生系统性金融风险的底线”， 对银行业的监管力度大大加强，对银行的风险管理能力水平也有了更高的要求。

(4) 在一定SiO2-Al2O3掺杂量范围内，五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜的介电强度随外层掺杂质量分数的增加呈现减小的趋势，五层复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大，为302.3 kV/mm。

(5) 通过对五层纳米SiO2-Al2O3/PI复合薄膜结构的设计，可以在兼顾材料力学性能的同时，提高材料的耐电晕寿命和介电强度。结果表明五层复合结构为A28A20PA20A28的复合薄膜综合性能最优。

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